三星稱將EUV技術帶入內存創造:DDR5內存方案2021年量產

作為世界搶先的半導體創造公司,三星在DRAM范疇的創造能力可謂一霸,並且三星也舍得將最早進的技術用於DRAM內存的創造上。而現在作為三星的王牌范疇,三星已經正式公佈將會在DRAM內存創造上運用最早進的EUV技術,來讓內存取得最精彩的制程。

三星在最新的消息稿中,正式公佈將EUV技術用於DRAM內存的創造當中,同時已經出貨的DDR4內存中有約莫100萬條采納瞭EUV技術,並且完成為瞭全世界客戶的評估,同時三星也方案在本年下半年在韓國平澤市建立第二條半導體生產線,主要用於在EUV技術下的DRAM內存的創造。

三星稱將EUV技術帶入到DRAM內存創造中不單可以提高內存的性能,更加重要的是可以降低內存的運用功耗,同時關於將來的方案,三星稱將會在2021年大規模量產基於EUV技術的DDR5和LPDDR5內存,也就是說在2021年,大傢就能在花費級市場上見到DDR5內存瞭,不過首先登陸的還是高性能計算以及服務器范疇。

以前三星在財報中表示已經斥資34億美元推銷20臺EUV光刻機,同時荷蘭ASML公司也在2019年出售瞭26臺EUV光刻機,創下瞭歷史記載。

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