臺積電初次地下3nm制程:基於FinFET工藝,2021年試產

固然疫情已經在全世界肆虐,同時幾乎全部的行業受到瞭牽聯,然而在半導體創造范疇,臺積電的營收和利潤倒是節節攀升。而在最新公佈的臺積電財報中,臺積電也初次發佈瞭3nm制程工藝的詳情,稱臺積電方案在2021年開始試產3nm工藝,同時但願可以在2022年正式量產3nm制程。

臺積電已經公佈原定於4月29日舉行的技術論壇上發佈3nm制程工藝的詳情,但是受疫情影響,本次技術會議將會被延期至8月份,因而臺積電才選擇在第一季度的財報上發佈3nm制程的部分音訊。臺積電表示當前3nm制程工藝的希望比較順利,同時臺積電但願可以在2021年施行3nm制程的危險試產,而在2022年下半年正式量產全新的3nm制程工藝。

而在材料選擇上,臺積電以為當前的FinFET技術可使用在3nm制程工藝上,因而依然將采納這個成熟的工藝,而作為臺積電在晶圓代工范疇最大的對手,三星也將寶押在瞭3nm制程上,將直接運用GAA盤繞柵極晶體管,據三星的說法,和當前的7nm制程工藝相比,全新的3nm工藝性能可以提高30%,而功耗則降低50%。固然即便到現在大傢還尚不清楚終究什麼時候才是半導體工藝的極限,有人稱3nm或者就是在當前科技下半導體的極限。

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